Photodiodes amplifiées
Une photodiode en silicium, généralement infrarouge, est associée à une puce d’amplificateur opérationnel dans un boîtier TO standard.
Gain transimpédance de 10 MΩ
Bande passante de 10 kHz
Alimentation simple ou symétrique
Impulsion de sortie positive en alimentation simple (par exemple 5 V)
Photodiodes amplifiées
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Caractéristiques générales / Valeurs maximales absolues
| Max. Rating | |
|---|---|
| DC Supply Voltage | ±18V |
| Storage Temperature Range | -30°C to +100°C |
| Operating Temperature Range | -20°C to +80°C |
Caractéristiques typiques (mesurées à une température ambiante de 22 °C ±2 °C, avec V = ±12 V sauf indication contraire)
| DEVICE TYPE | Photodiode Active Area | DC Supply Voltage (Dual Rail) | Quiescent current | Transimpedance Gain | Bandwidth | Dark Noise Amplitude (1MHz) | Dark Noise Offset (1MHz) | Risetime | Spectral Enhancement | Package | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| mm² | V | mA | MΩ | kHz | mV | mV | µs | IR | E | ||
| ASD 1.75-3T-10M/10k (Flat window) | 1.75 | ±3 to ±18 Typically ±12 | 4.0 | 10 | 10 | 1.0 | 2.0 | 50 | ✓ | TO5 | |
| ASD 5.0-3T-10M/10k (Flat window) | 5.0 | ±3 to ±18 Typically ±12 | 4.0 | 10 | 10 | 1.0 | 4.0 | 50 | ✓ | TO5 | |
| ASD 5.0-3TL-10M/10k (Lensed window) | 5.0 | ±3 to ±18 Typically ±12 | 4.0 | 10 | 10 | 1.0 | 4.0 | 50 | ✓ | TO5 | |
| ASD 5.0-3TE-10M/10k (Eye Response window) | 5.0 | ±3 to ±18 Typically ±12 | 4.0 | 10 | 10 | 1.0 | 4.0 | 50 | ✓ | TO5 | |
